- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIB406EDK-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIB406EDK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 10W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIB406EDK-T1-GE3DKR |
New Product
SiB406EDK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
I D = 5.1 A
1.7
1.5
I D = 3.9 A
6
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.3
1.1
V GS = 4.5 V , 2.5 V
4
0.9
2
0
0.7
0.5
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.20
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2 A
0.16
10
0.12
T J = 150 °C
1
T J = 25 °C
0.0 8
T J = 125 °C
0.04
T J = 25 °C
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
1.3
1.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.1
I D = 250 μ A
20
1.0
15
0.9
10
0. 8
0.7
0.6
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
www.vishay.com
4
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
P u lse (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
Document Number: 69088
S-83095-Rev. A, 29-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB408DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L |
| SIB412DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB413DK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB433EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V SC-75-6 |
| SIB452DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB408DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SiB408DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.0A 13W 40mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB410DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIB410DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB411DK-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。