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参数资料
| 型号： | SIB406EDK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 10W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIB406EDK-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC75-6L Single
1.250 (0.049)
0.250 (0.01)
0.250 (0.01)
0.500 (0.02)
0.400 (0.016)
0.300 (0.012)
0.180 (0.007)
0.370 (0.015)
1.700 (0.067)
1.100
(0.043)
0.620 (0.024)
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0.200 (0.008)
0.300 (0.012)
0.300 (0.012)
1
0.545 (0.021)
0.670 (0.026)
0.250 (0.01)
2.000 (0.079)
Dimensions in mm/(Inches)
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Document Number: 70488
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB408DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L |
| SIB412DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB413DK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 |
| SIB433EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V SC-75-6 |
| SIB452DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB408DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SiB408DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.0A 13W 40mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB410DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIB410DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB411DK-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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