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参数资料
| 型号： | SIB408DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIB408DK-T1-GE3DKR |
New Product
SiB408DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
5
16
V GS = 10 V thru 4 V
4
12
8
4
0
V GS = 3 V
3
2
1
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
2
3
4
5
0.060
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.045
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
400
300
C iss
0.030
200
0.015
100
C oss
0.000
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 6 A
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 6 A
8
6
V DS = 15 V
1.5
1.3
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V DS = 7.5 V
4
2
0
V DS = 22.5 V
1.1
0.9
0.7
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64828
S09-0859-Rev. A, 18-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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| SIB411DK-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB411DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB412DK-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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