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参数资料
| 型号： | SIB408DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIB408DK-T1-GE3DKR |
New Product
SiB408DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
0.0 8
0.06
I D = 6 A
T J = 125 °C
0.1
0.01
0.001
T J = - 50 °C
0.04
0.02
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
15
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
I D = 5 mA
I D = 250 μA
10
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
10 μs
10
100 μs
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
100 s, DC
Single P u lse
B V DSS
Limited
0.001
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 64828
S09-0859-Rev. A, 18-May-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB412DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SIB410DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB411DK-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB411DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB412DK-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 34mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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