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参数资料
| 型号： | SIB452DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 |
| 产品目录绘图： | SIA, SIB Series SC70-6, SC75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 190V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 欧姆 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 135pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIB452DK-T1-GE3DKR |
New Product
SiB452DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
8
I D = 0.5 A
6
1
4
T J = 125 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.1
2
T J = 25 °C
0.01
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
0
2
4
6
8
10
1.3
1.2
1.1
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
20
15
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
1.0
10
0.9
0. 8
0.7
0.6
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
1
100 μs
0.1
I D(on)
Limited
1 ms
10 ms
100 ms
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
1 s, 10 s
DC
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68832
S-81724-Rev. A, 04-Aug-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB457EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L |
| SIB914DK-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
| SIE800DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB455EDK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SIB455EDK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -12V 27mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB456DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
| SIB456DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 185mOhm@10V 6.3A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB457EDK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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