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参数资料
| 型号： | SIB914DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 113 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 125pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIB914DK-T1-GE3DKR |
New Product
SiB914DK
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
1.5
V DS (V)
8
R DS(on) ( Ω )
0.113 at V GS = 4.5 V
0.138 at V GS = 2.5 V
0.190 at V GS = 1.8 V
0.280 at V GS = 1.5 V
0.480 at V GS = 1.2 V
I D (A) g
1.5 a
1.5 a
a
1.0
0.3
Q g (Typ.)
1.5 nC
? Halogen-free
? TrenchFET ? Power MOSFET
? New Thermally Enhanced PowerPAK ?
SC-75 Package
- Small Footprint Area
- Low On-Resistance
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable
PowerPAK SC75-6L-Dual
Devices
? DC/DC Converter
D 1
D 2
1
S 1
2
G 1
Markin g Code
D 1
6
D 1
D 2
3
D 2
Part # code
CBX
XXX
Lot Tracea b ility
G 1
G 2
G 2
5
1.60 mm
4
S 2
1.60 mm
and Date code
S 1
S 2
Orderin g Information: SiB914DK-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
N -Channel MOSFET
N -Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
8
±5
1.5 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
1.5 a
1.5 a, b, c
1.5 a, b, c
6
1.5 a
0.9 b, c
3.1
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
2.0
1.1 b, c
W
T A = 70 °C
0.7 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol Typical Maximum Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, f t ≤ 5 s R thJA
Maximum Junction-to-Case (Drain) Steady State R thJC
90 115
32 40
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. See Solder Profile ( h ttp://www.vishay.com/ppg?73257 ). The PowerPAK SC-75 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
f. Maximum under Steady State conditions is 125 °C/W.
g. Based on T C = 25 °C.
Document Number: 68792
S-81946-Rev. A, 25-Aug-08
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SIB914DK-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N CHANNEL MOSFET 8V SC-75 |
| SI-B9R113280WW | 功能描述:LED 4000K 90CRI LM561B 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:* 零件状态:有效 标准包装:400 |
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| SI-B9T071280WW | 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules LED Module LT-M272G White, Neutral Linear Light Strip 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:LT-M272G 包装:托盘 零件状态:过期 类型:LED 模块 颜色:中性白 CCT（K）:4000K 3 阶麦克亚当椭圆 波长:- 配置:线性灯条 通量 @ 电流/温度 -测试:775 lm（标准） 电流 - 测试:300mA 温度 - 测试:50°C 电压 - 正向（Vf）（典型值）:24V 不同测试电流时的流明/瓦:108 lm/W 电流 - 最大值:360mA CRI（高显色指数）:90 视角:115° 特性:- 大小/尺寸:275.00mm 长 x 18.00mm 宽 高度:5.80mm 发光面（LES）:- 透镜类型:扁平 标准包装:400 |
| SI-B9T111560WW | 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules LED Module LT-M562F White, Neutral Linear Light Strip 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:LT-M562F 包装:托盘 零件状态:过期 类型:LED 模块 颜色:中性白 CCT（K）:4000K 3 阶麦克亚当椭圆 波长:- 配置:线性灯条 通量 @ 电流/温度 -测试:1170 lm（标准） 电流 - 测试:450mA 温度 - 测试:50°C 电压 - 正向（Vf）（典型值）:24.7V 不同测试电流时的流明/瓦:105 lm/W 电流 - 最大值:450mA CRI（高显色指数）:90 视角:115° 特性:- 大小/尺寸:560.00mm 长 x 18.00mm 宽 高度:5.80mm 发光面（LES）:- 透镜类型:扁平 标准包装:280 |
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