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参数资料
| 型号： | SIB914DK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
| 产品目录绘图： | Mosfet SC70-6, SC75-6 Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 113 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 125pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 双 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SIB914DK-T1-GE3DKR |
New Product
SiB914DK
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
I D = 250 μA
8
8.3
- 2.1
V
mV/°C
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μA
0.35
0.8
V
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current a
I GSS
I DSS
I D(on)
V DS = 0 V, V GS = ± 5 V
V DS = 8 V, V GS = 0 V
V DS = 8 V, V GS = 0 V, T J = 55 °C
V DS ≥ 5 V, V GS = 4.5 V
V GS = 4.5 V, I D = 2.5 A
V GS = 2.5 V, I D = 2.2 A
6
0.090
0.110
± 100
1
10
0.113
0.138
nA
μA
A
Drain-Source On-State Resistance a
R DS(on)
V GS = 1.8 V, I D = 1.9 A
0.150
0.190
Ω
V GS = 1.5 V, I D = 1.0 A
V GS = 1.2 V, I D = 0.1 A
0.200
0.280
0.280
0.480
Forward
Transconductance a
g fs
V DS = 4 V, I D = 2.5 A
10
S
Dynamic b
Input Capacitance
C iss
125
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V DS = 4 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
68
35
pF
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Q g
Q gs
V DS = 4 V, V GS = 5 V, I D = 2.5 A
V DS = 4 V, V GS = 4.5 V, I D = 2.5 A
1.7
1.5
0.25
2.6
2.3
nC
Gate-Drain Charge
Q gd
0.25
Gate Resistance
R g
f = 1 MHz
0.7
3.5
7.0
Ω
Turn-On Delay Time
t d(on)
4
8
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V DD = 4 V, R L = 2 Ω
I D ? 2.0 A, V GEN = 4.5 V, R g = 1 Ω
7
22
9
14
33
19
ns
Drain-Source Body Diode Characteristics
Continuous Source-Drain Diode Current
Pulse Diode Forward Current
I S
I SM
T C = 25 °C
1.5 c
6
A
Body Diode Voltage
Body Diode Reverse Recovery Time
Body Diode Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Fall Time
Reverse Recovery Rise Time
V SD
t rr
Q rr
t a
t b
I S = 2.0 A, V GS = 0 V
I F = 2.0 A, dI/dt = 100 A/μs, T J = 25 °C
0.7
10
2
4
6
1.2
15
4
V
ns
nC
ns
Notes:
a. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
c. Package limited.
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
www.vishay.com
2
Document Number: 68792
S-81946-Rev. A, 25-Aug-08
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SIB914DK-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N CHANNEL MOSFET 8V SC-75 |
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| SI-B9T071280WW | 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules LED Module LT-M272G White, Neutral Linear Light Strip 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:LT-M272G 包装:托盘 零件状态:过期 类型:LED 模块 颜色:中性白 CCT（K）:4000K 3 阶麦克亚当椭圆 波长:- 配置:线性灯条 通量 @ 电流/温度 -测试:775 lm（标准） 电流 - 测试:300mA 温度 - 测试:50°C 电压 - 正向（Vf）（典型值）:24V 不同测试电流时的流明/瓦:108 lm/W 电流 - 最大值:360mA CRI（高显色指数）:90 视角:115° 特性:- 大小/尺寸:275.00mm 长 x 18.00mm 宽 高度:5.80mm 发光面（LES）:- 透镜类型:扁平 标准包装:400 |
| SI-B9T111560WW | 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules LED Module LT-M562F White, Neutral Linear Light Strip 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:LT-M562F 包装:托盘 零件状态:过期 类型:LED 模块 颜色:中性白 CCT（K）:4000K 3 阶麦克亚当椭圆 波长:- 配置:线性灯条 通量 @ 电流/温度 -测试:1170 lm（标准） 电流 - 测试:450mA 温度 - 测试:50°C 电压 - 正向（Vf）（典型值）:24.7V 不同测试电流时的流明/瓦:105 lm/W 电流 - 最大值:450mA CRI（高显色指数）:90 视角:115° 特性:- 大小/尺寸:560.00mm 长 x 18.00mm 宽 高度:5.80mm 发光面（LES）:- 透镜类型:扁平 标准包装:280 |
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