参数资料
型号: SIB914DK-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
产品目录绘图: Mosfet SC70-6, SC75-6 Package
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 113 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 125pF @ 4V
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SC-75-6L 双
供应商设备封装: PowerPAK? SC-75-6L 双
包装: 标准包装
产品目录页面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SIB914DK-T1-GE3DKR
New Product
SiB914DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
6
1.0
5
V GS = 5 thr u 2.5 V
V GS = 2 V
0. 8
4
0.6
3
2
V GS = 1.5 V
0.4
T C = 25 °C
1
0
V GS = 1 V
0.2
0.0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.5
0.4
0.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
200
160
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.2
0.1
0.0
V GS = 1.2 V
V GS = 1.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
8 0
40
0
C rss
C oss
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
4
I D = 2.5 A
1.5
V GS = 1.8 V; I D = 1.9 A
V DS = 4 V
3
1.3
V GS = 2.5 V; I D = 2.2 A
2
1
0
V DS = 6.4 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V; I D = 2.5 A
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68792
S-81946-Rev. A, 25-Aug-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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SI-B9R113280WW 功能描述:LED 4000K 90CRI LM561B 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:* 零件状态:有效 标准包装:400
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SI-B9T071280WW 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules LED Module LT-M272G White, Neutral Linear Light Strip 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:LT-M272G 包装:托盘 零件状态:过期 类型:LED 模块 颜色:中性白 CCT(K):4000K 3 阶麦克亚当椭圆 波长:- 配置:线性灯条 通量 @ 电流/温度 -测试:775 lm(标准) 电流 - 测试:300mA 温度 - 测试:50°C 电压 - 正向(Vf)(典型值):24V 不同测试电流时的流明/瓦:108 lm/W 电流 - 最大值:360mA CRI(高显色指数):90 视角:115° 特性:- 大小/尺寸:275.00mm 长 x 18.00mm 宽 高度:5.80mm 发光面(LES):- 透镜类型:扁平 标准包装:400
SI-B9T111560WW 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules LED Module LT-M562F White, Neutral Linear Light Strip 制造商:samsung semiconductor, inc. 系列:LT-M562F 包装:托盘 零件状态:过期 类型:LED 模块 颜色:中性白 CCT(K):4000K 3 阶麦克亚当椭圆 波长:- 配置:线性灯条 通量 @ 电流/温度 -测试:1170 lm(标准) 电流 - 测试:450mA 温度 - 测试:50°C 电压 - 正向(Vf)(典型值):24.7V 不同测试电流时的流明/瓦:105 lm/W 电流 - 最大值:450mA CRI(高显色指数):90 视角:115° 特性:- 大小/尺寸:560.00mm 长 x 18.00mm 宽 高度:5.80mm 发光面(LES):- 透镜类型:扁平 标准包装:280