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参数资料
| 型号： | SIE800DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.2 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（S） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（S） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiE800DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
V GS = 10 V thr u 5 V
25
50
4 V
20
40
15
30
10
20
T C = 125 °C
10
5
25 °C
0
3 V
0
- 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.014
0.012
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.010
0.00 8
V GS = 4.5 V
1500
1000
C iss
C oss
V GS = 10 V
0.006
0.004
500
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 1 8 .5 A
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.6
1.4
1.2
I D = 10. 8 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73199
S11-0212-Rev. G, 14-Feb-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
| SIE822DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
| SIE830DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE836DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE802DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE802DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE804DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE806DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE806DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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