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参数资料
| 型号： | SIE800DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.2 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（S） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（S） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PolarPAK ? Option L and S
7.300
(0.2 8 7)
0.510
(0.020)
0.510
(0.020)
0.955
(0.03 8 )
0.410
(0.016)
0.955
(0.03 8 )
0. 8 95
(0.035)
+
0. 8 95
(0.035)
0.5 8 0
(0.023)
2.290
(0.090)
0.5 8 0
(0.023)
0.510
(0.020)
Recommended Minim u m for PolarPAK Option L and S
Dimensions in mm/(Inches)
N o External Traces w ithin Broken Lines
Dot indicates Gate Pin (Part Marking)
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www.vishay.com
6
Document Number: 73491
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
| SIE822DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
| SIE830DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE836DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE802DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE802DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE804DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE806DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE806DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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