- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIE800DF-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIE800DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.2 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（S） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（S） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiE800DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
0.020
I D = 10. 8 A
0.016
T J = 150 °C
10
0.012
T A = 125 °C
1
T J = 25 °C
0.00 8
0.004
T A = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
3.0
2.6
2.2
1. 8
1.4
1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V DS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73199
S11-0212-Rev. G, 14-Feb-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
| SIE822DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
| SIE830DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE836DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE802DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE802DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE804DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE806DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE806DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。