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参数资料
| 型号： | SIE804DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 7.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiE804DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
25
20
15
10
5
0
V GS = 10 thru 4 V
V GS = 3 V
10
8
6
4
2
0
T C = - 55 °C
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
0.045
0.040
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
5000
4000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.035
0.030
V GS = 6 V
V GS = 10 V
3000
C iss
2000
0.025
0.020
0.015
1000
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 7.6 A
8
6
V DS = 75 V
V DS = 120 V
4
2
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 7.6 A
V GS = 6 V; 10 V
0
20
40
60
8 0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69091
S09-0143-Rev. A, 02-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE806DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE806DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE806DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE808DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIE808DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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