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参数资料
| 型号： | SIE804DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 7.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 105nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A1
b1
b2
b3
b4
b5
c
D
D1
E
E1
H1
H2
H3
H4
I1
J1
K1
K2
M1
M2
M3
M4
P1
T1
T2
T3
T4
T5
θ
MIN.
0.75
0.00
0.48
0.41
1.68
0.64
0.23
0.20
6.00
5.74
5.01
4.75
0.23
0.71
0.31
0.71
4.22
1.08
1.37
0.24
4.30
3.43
0.22
0.05
0.15
3.48
0.56
1.20
3.90
0
0°
NOM.
0.80
-
0.58
0.51
1.78
0.79
0.33
0.25
6.15
5.89
5.16
4.90
-
-
0.41
-
4.37
1.13
-
-
4.50
3.58
-
-
0.20
3.64
0.76
-
-
0.18
10°
MAX.
0.85
0.05
0.68
0.61
1.88
0.94
0.43
0.30
6.30
6.04
5.31
5.05
-
0.81
0.51
0.81
4.52
1.18
-
-
4.70
3.73
-
-
0.25
4.10
0.95
-
-
0.36
12°
MIN.
0.030
0.000
0.019
0.016
0.066
0.025
0.009
0.008
0.236
0.226
0.197
0.187
0.009
0.028
0.012
0.028
0.166
0.043
0.054
0.009
0.169
0.135
0.009
0.002
0.006
0.137
0.022
0.047
0.153
0.000
0°
NOM.
0.031
-
0.023
0.020
0.070
0.031
0.013
0.010
0.242
0.232
0.203
0.193
-
-
0.016
-
0.172
0.044
-
-
0.177
0.141
-
-
0.008
0.143
0.030
-
-
0.007
10°
MAX.
0.033
0.002
0.027
0.024
0.074
0.037
0.017
0.012
0.248
0.238
0.209
0.199
-
0.032
0.020
0.032
0.178
0.046
-
-
0.185
0.147
-
-
0.010
0.161
0.037
-
-
0.014
12°
ECN: T-08955-Rev. A, 29-Dec-08
DWG: 5982
Notes
Millimeters govern over inches.
www.vishay.com
2
Document Number: 64713
Revision: 29-Dec-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIE822DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
| SIE830DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
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| SIHB30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE806DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE806DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE806DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE808DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIE808DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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