参数资料
型号: SIE804DF-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 37A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 38 毫欧 @ 7.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 50V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK?(SH)
供应商设备封装: 10-PolarPAK?(SH)
包装: 带卷 (TR)
New Product
SiE804DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
140
120
40
100
30
20
8 0
60
40
10
20
0
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating, Junction-to-Case
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 69091
S09-0143-Rev. A, 02-Feb-09
www.vishay.com
5
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PDF描述
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参数描述
SIE806DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE806DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE806DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE808DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIE808DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube