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参数资料
| 型号： | SIHB30N60E-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
SiHB30N60E
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
80
TOP
15 V
3.0
70
14 V
13 V
2.5
I D = 15 A
12 V
60
50
T J = 25 °C
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
2.0
V GS = 10 V
7.0 V
40
30
20
10
0
6.0 V
BOTTOM 5.0 V
5V
1.5
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
50
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
T J - Junction Temperature ( ° C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
10 000
C i ss
40
30
TOP
15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
1000
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd x C d s s horted
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
9.0 V
8.0 V
100
20
7.0 V
6.0 V
BOTTOM 5.0 V
C o ss
10
T J = 150 °C
10
C r ss
0
0
5
10
15
20
25
30
1
0
100
200
300
400
500
600
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
80
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
20
I D = 15 A
V D S = 300 V
60
T J = 25 °C
16
V D S = 120 V
40
T J = 150 °C
12
V D S = 480 V
8
20
4
0
0
5
10
15
20
25
0
0
25
50
75
100
125
150
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Q g - Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S12-3103-Rev. E, 24-Dec-12
3
Document Number: 91453
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHF15N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
| SIHF18N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHB33N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SIHB33N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SiHB6N65E-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS |
| SIHB8N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHD3N50D | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET |
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