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参数资料
| 型号： | SIHB30N60E-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
SiHB30N60E
1000
www.vishay.com
30.0
Vishay Siliconix
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 ° C
T J = 25 °C
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
T C - Temperature ( ° C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
725
1000
Operation in thi s area
700
100
limited by R D S (on)
I DM Limited
675
650
10
100 μ s
625
1
0.1
0.1
T C = 25 °C
T J = 150 °C
S ingle Pul s e
1 10
BVD SS Limited
100
1 m s
10 m s
1000
600
575
550
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
T J - Temperature ( ° C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Sq uare Wave Pul s e Duration ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S12-3103-Rev. E, 24-Dec-12
4
Document Number: 91453
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHF15N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
| SIHF18N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
| SIHF6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK |
| SIHG20N50C-E3 | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHB33N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SIHB33N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SiHB6N65E-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS |
| SIHB8N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHD3N50D | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET |
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