- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIHB30N60E-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIHB30N60E-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2600pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
Package Information
Vishay Siliconix
TO-263AB (HIGH VOLTAGE)
A
(Dat u m A)
3
4
A
A
B
E
c2
4
L1
4
Ga u ge
H
plane
0° to 8 °
B
D
L2
B
1
B
2
C
3
C
H
5
Detail A
L3
L
L4
Detail “A”
Rotated 90° CW
scale 8 :1
A1
Seating plane
2 x b 2
2x b
c
A
2xe
0.010 M A M B
± 0.004 M B
E
Base
Plating
(c)
5
b 1, b 3
metal
5
c1
D1
4
( b , b 2)
Lead tip
MILLIMETERS
Section B - B and C - C
Scale: none
INCHES
E1
V ie w A - A
MILLIMETERS
4
INCHES
DIM.
A
A1
b
MIN.
4.06
0.00
0.51
MAX.
4.83
0.25
0.99
MIN.
0.160
0.000
0.020
MAX.
0.190
0.010
0.039
DIM.
D1
E
E1
MIN.
6.86
9.65
6.22
MAX.
-
10.67
-
MIN.
0.270
0.380
0.245
MAX.
-
0.420
-
b1
0.51
0.89
0.020
0.035
e
2.54 BSC
0.100 BSC
b2
b3
c
c1
1.14
1.14
0.38
0.38
1.78
1.73
0.74
0.58
0.045
0.045
0.015
0.015
0.070
0.068
0.029
0.023
H
L
L1
L2
14.61
1.78
-
-
15.88
2.79
1.65
1.78
0.575
0.070
-
-
0.625
0.110
0.066
0.070
c2
1.14
1.65
0.045
0.065
L3
0.25 BSC
0.010 BSC
D
8.38
9.65
0.330
0.380
L4
4.78
5.28
0.188
0.208
ECN: S-82110-Rev. A, 15-Sep-08
D W G: 5970
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimensions are shown in millimeters (inches).
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the
outmost extremes of the plastic body at datum A.
4. Thermal PAD contour optional within dimension E, L1, D1 and E1.
5. Dimension b1 and c1 apply to base metal only.
6. Datum A and B to be determined at datum plane H.
7. Outline conforms to JEDEC outline to TO-263AB.
Document Number: 91364
Revision: 15-Sep-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHF15N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
| SIHF18N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
| SIHF6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK |
| SIHG20N50C-E3 | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHB33N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SIHB33N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SiHB6N65E-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS |
| SIHB8N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 850mOhms@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHD3N50D | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。