- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIHF18N50D-E3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIHF18N50D-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 9A，50V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 整包 |
| 包装： | 管件 |
SiHF18N50D
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
60
3
Vishay Siliconix
50
TOP
15V
14V
13V
12V
T J = 25 °C
2.5
I D = 9 A
11V
10V
40
30
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
2
1.5
20
10
1
0.5
V GS = 10 V
0
5.0 V
0
0
5
10
15
20
25
30
- 60 - 40 - 20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
40
V D S , Drain -to - S ource Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
10 000
TOP
15V
14V
13V
T J = 150 °C
32
24
12V
11V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTYTOM 5.0V
1000
100
C i ss
C o ss
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C i ss = C g s + C gd , C d s S horted
C r ss = C gd
C o ss = C d s + C gd
16
C r ss
10
8
0
5.0 V
1
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
60
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
24
V D S = 400 V
50
40
30
20
16
12
V D S = 250 V
V D S = 100 V
20
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
8
4
0
0
5
10
15
20
25
0
0
10
20
30
40
50
60
70
V GS , G ate- -to- S ource Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Q g , Total G ate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S12-1228-Rev. A, 21-May-12
3
Document Number: 91507
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHF6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK |
| SIHG20N50C-E3 | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
| SIHG24N65E-E3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC |
| SIHP12N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
| SIHP30N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHF22N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHF22N60E-E3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHF22N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhms@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:600 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:21 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.18 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 Full Pak 封装:Bulk |
| SiHF22N60S | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SIHF22N60S-E3 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。