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参数资料
| 型号： | SIHF18N50D-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 9A，50V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 整包 |
| 包装： | 管件 |
Package Information
Vishay Siliconix
TO-220 FULLPAK (HIGH VOLTAGE)
E
A
n
?P
A1
d1
d3
D
u
L1
V
L
b
e
b 3
b 2
MILLIMETERS
c
A2
INCHES
DIM.
A
A1
A2
b
b2
b3
c
D
d1
d3
E
e
L
L1
n
?P
u
v
MIN.
4.570
2.570
2.510
0.622
1.229
1.229
0.440
8.650
15.88
12.300
10.360
13.200
3.100
6.050
3.050
2.400
0.400
2.54 BSC
MAX.
4.830
2.830
2.850
0.890
1.400
1.400
0.629
9.800
16.120
12.920
10.630
13.730
3.500
6.150
3.450
2.500
0.500
MIN.
0.180
0.101
0.099
0.024
0.048
0.048
0.017
0.341
0.622
0.484
0.408
0.520
0.122
0.238
0.120
0.094
0.016
0.100 BSC
MAX.
0.190
0.111
0.112
0.035
0.055
0.055
0.025
0.386
0.635
0.509
0.419
0.541
0.138
0.242
0.136
0.098
0.020
ECN: X09-0126-Rev. B, 26-Oct-09
DWG: 5972
Notes
1. To be used only for process drawing.
2. These dimensions apply to all TO-220, FULLPAK leadframe versions 3 leads.
3. All critical dimensions should C meet C pk > 1.33.
4. All dimensions include burrs and plating thickness.
5. No chipping or package damage.
Document Number: 91359
Revision: 26-Oct-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SIHF22N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHF22N60E-E3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHF22N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 180mOhms@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:600 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:21 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.18 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 Full Pak 封装:Bulk |
| SiHF22N60S | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| SIHF22N60S-E3 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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