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参数资料
| 型号： | SIJ458DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 122nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4810pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 69.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SIJ458DP-T1-GE3CT |
New Product
SiJ458DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
t 1
t 2
0.1
0.2
0.1
0.05
Notes:
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/W
0.02
Single Pulse
3. T JM - T A = P DM Z thJA (t)
4. Surface Mounted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
Single Pulse
0.05
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data,see www.vishay.com/ppg?65709 .
www.vishay.com
6
Document Number: 65709
S10-0640-Rev. A, 22-Mar-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIJ482DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A SO-8 |
| SIJ800DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L |
| SIM-012SBT87 | EMITTER IR SIDE VIEW SMD T/R |
| SIM-030ST | LED IR 870NM 30MW SR SMD |
| SIM-20ST | EMITTER IR 950NM SIDE VIEW TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIJ478DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V SO-8L 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET |
| SIJ482DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIJ482DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIJ484DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SIJ591CIN WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
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