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参数资料
| 型号： | SIJ482DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 60A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2425pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 69.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SIJ482DP-T1-GE3CT |
New Product
SiJ482DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
90
72
54
36
18
0
Package Limited
0
25
50 75 100
125
150
T C - Case Temperature ( ° C)
Current Derating*
85
68
51
34
17
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature ( ° C)
Power, Junction-to-Case
T A - Ambient Temperature ( ° C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 63728
S12-0544-Rev. A, 12-Mar-12
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIJ800DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L |
| SIM-012SBT87 | EMITTER IR SIDE VIEW SMD T/R |
| SIM-030ST | LED IR 870NM 30MW SR SMD |
| SIM-20ST | EMITTER IR 950NM SIDE VIEW TH |
| SIM-22STF | EMITTER IR 950NM SIDE VIEW TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIJ484DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SIJ591CIN WAF | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| SIJ800DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIJ-DH-25 | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIKR. LYSD. TOUCH/DREJE 2 | 制造商:JO-EL Electric 功能描述: |
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