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参数资料
| 型号： | SIR414DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 117nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4750pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR414DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR414DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
2.0
V GS = 10 V thru 3 V
56
1.5
42
2 8
14
1.0
0.5
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0030
0.0025
0.0020
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
6000
4500
3000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
1500
C oss
0.0015
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 20 A
2.0
I D = 20 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
V DS = 20 V
1.7
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 24 V
1.4
1.1
0. 8
0.5
V GS = 4.5 V
0
15
30
45
60
75
90
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 64727
S09-0319-Rev. A, 02-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR416DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR416DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 69W 3.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR418DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR418DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 40A 39W 5.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR418DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 40V 40A |
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