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参数资料
| 型号： | SIR418DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2410pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiR418DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.020
0.016
0.012
I D = 20 A
0.1
0.01
0.001
0.00 8
0.004
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
200
160
120
8 0
40
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
10
1
0.1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
Time (s)
Single Pulse Power
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65153
S09-1813-Rev. A, 14-Sep-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR436DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
| SIR440DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC |
| SIR462DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK 8SOIC |
| SIR464DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR418DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 40V 40A |
| SIR422 | 制造商:American Electronic Components Inc 功能描述:ELESTA RELAY 24 VDC, 10 AMP. 250 VAC |
| SIR422-18VDC | 制造商:American Electronic Components Inc 功能描述:SIR422-18VDC |
| SIR422DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR422DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 40A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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