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参数资料
| 型号： | SIR418DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2410pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiR418DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
75
60
45
30
15
0
Package Limited
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
50
40
30
20
10
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Junction-to-Case
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 65153
S09-1813-Rev. A, 14-Sep-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR436DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC |
| SIR440DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC |
| SIR462DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK 8SOIC |
| SIR464DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC |
| SIR468DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR418DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 40V 40A |
| SIR422 | 制造商:American Electronic Components Inc 功能描述:ELESTA RELAY 24 VDC, 10 AMP. 250 VAC |
| SIR422-18VDC | 制造商:American Electronic Components Inc 功能描述:SIR422-18VDC |
| SIR422DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR422DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 40A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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