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参数资料
| 型号： | SIR826DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
| 特色产品： | ThunderFET? |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR826DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR826DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
60
V GS = 10 V thru 4 V
10
8
6
40
4
T C = 25 °C
20
V GS = 3 V
2
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.008
0.007
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
5400
4320
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.006
0.005
V GS = 4.5 V
3240
2160
C iss
C oss
V GS = 7.5 V
0.004
V GS = 10 V
1080
0.003
0
C rss
0
20
40
60
80
100
0
16
32
48
64
80
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.1
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 20 A
V DS = 30 V
1.8
I D = 20 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 40 V
V DS = 50 V
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 4.5 V
0
13
26
39
52
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 67196
S10-2761-Rev. A, 29-Nov-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR836DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR836DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR838DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 35A 96W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR840DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR841500 | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm |
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