- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录516 > SIR826DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIR826DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
| 特色产品： | ThunderFET? |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR826DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR826DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
1
T J = 150 °C
0.025
0.020
0.015
I D = 20 A
0.1
0.01
T J = 25 °C
0.010
0.005
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.001
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
- 0.7
- 1.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
I D = 250 μA
200
160
120
80
40
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 m s
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
10 s
0.01
Single Pulse
BVDSS Limited
D C
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 67196
S10-2761-Rev. A, 29-Nov-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR844DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
| SIR846ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 |
| SIR850DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC |
| SIR862DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC |
| SIR878ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR836DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIR836DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40 Volts 21 Amps 15.6 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR838DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 35A 96W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR840DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR841500 | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。