参数资料
型号: SIR826DP-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 8/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK
特色产品: ThunderFET?
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 40V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 标准包装
其它名称: SIR826DP-T1-GE3DKR
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述
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参数描述
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