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参数资料
| 型号： | SIR846ADP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2350pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR846ADP-T1-GE3DKR |
SiR846ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
V GS = 10 V thru 5 V
10
8
60
40
20
V GS = 4 V
6
4
2
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
0
0.0
V GS = 3 V
1.0 2.0 3.0 4.0
5.0
0
0.0
T C = - 55 ° C
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
0.0090
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Output Characteristics
3100
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.0084
0.0078
V GS = 6 V
V GS = 7.5 V
2480
1860
C iss
C oss
0.0072
0.0066
V GS = 10 V
1240
620
C rss
0.0060
0
20
40 60
80
100
0
0
20 40 60 80
100
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.0
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 20 A
V D S = 50 V
1.7
I D = 20 A
V GS = 10 V
6
4
2
V D S = 25 V
V D S = 75 V
1.4
1.1
0.8
V GS = 6 V
0
0
9
18 27
Q g - Total G ate Charge (nC)
36
45
0.5
- 50
- 25
0 25 50 75 100
T J - Junction Temperature ( ° C)
125
150
Gate Charge
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63823
S13-0829-Rev. B, 22-Apr-13
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR850DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC |
| SIR862DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC |
| SIR878ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK |
| SIR878DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR846DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SIR846DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR850DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR850DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR852160-WJ | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm with spring terminals |
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