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参数资料
| 型号： | SIR846ADP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2350pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR846ADP-T1-GE3DKR |
SiR846ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.03
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.02
0.02
I D = 20 A
T J = 125 °C
0.1
0.01
0.01
0.01
T J = 25 ° C
0.001
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.00
0
2 4 6 8
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
200
160
120
80
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.7
I D = 250 μA
40
- 1.0
- 50
- 25
0
25 50 75
T J - Temperature ( ° C)
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
Time (s)
1
10
Threshold Voltage
1000
100
10
I DM Limited
I D Limited
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 us
1 ms
1
Limited by R D S (on) *
10 ms
0.1
T A = 25 °C
S ingle Pulse
100 ms
1s
10 s
0.01
BVD SS Limited
DC
0.01
0.1
1
10
100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63823
S13-0829-Rev. B, 22-Apr-13
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR850DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC |
| SIR862DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC |
| SIR878ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK |
| SIR878DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR846DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SIR846DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR850DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR850DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR852160-WJ | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm with spring terminals |
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