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参数资料
| 型号： | SIR846ADP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2350pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR846ADP-T1-GE3DKR |
SiR846ADP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
80
64
Package Limited
48
32
16
0
0
25
50 75 100
125
150
T C - Case Temperature ( ° C)
Current Derating*
100
80
60
40
20
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
25
50 75 100
T C - Case Temperature ( ° C)
125
150
0.0
0
25
50 75 100 125
T A - Ambient Temperature ( ° C)
150
Power, Junction-to-Case
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 63823
S13-0829-Rev. B, 22-Apr-13
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR850DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC |
| SIR862DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC |
| SIR878ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK |
| SIR878DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC |
| SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR846DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SIR846DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR850DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SIR850DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR852160-WJ | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:New Solid State Relay compact size pitch 22,5mm with spring terminals |
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