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参数资料
型号： SIR95-21C/TR10
厂商： EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD
元件分类： 红外LED
英文描述： 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm
封装： ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SMD, 2 PIN
文件页数： 5/10页
文件大小： 166K
代理商： SIR95-21C/TR10
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 3
Page: 4 of 10
Device No：DIR-0000095
Prepared date：02-18-2009
Prepared by：Jaine Tsai
0
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100
80
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810
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925
875
835 855
905
965
945
985
IF
=20mA
Ta=25° C
75
-25
840
0
860
875
25
50
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920
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1
10
2
3
10
4
12
3
4
SIR95-21C/TR10
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.1 Forward Current vs.
Fig.2 Spectral Distribution
Ambient Temperature
Fig.3
Peak Emission Wavelength
Fig.4
Forward Current
Ambient Temperature
vs. Forward Voltage
相关PDF资料
PDF描述
SK12H45 12 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
SKKD170M24 170 A, 2400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SKKE330F17 290 A, 1700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SKV1/2B6000/5400-0.5 0.45 A, 14000 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
SL467CW5-18V/30-P SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, WHITE, 19 mm
相关代理商/技术参数
参数描述
SIRA00DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA00DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIRA02DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA02DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIRA04DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
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