- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录67180 > SIR95-21C/TR10 (EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD) 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SIR95-21C/TR10 |
| 厂商： | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SMD, 2 PIN |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | SIR95-21C/TR10 |
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 3
Page: 8 of 10
Device No：DIR-0000095
Prepared date：02-18-2009
Prepared by：Jaine Tsai
SIR95-21C/TR10
Reliability Test Item And Condition
The reliability of products shall be satisfied with items listed below.
Confidence level：90%
LTPD：10%
NO. Item
Test Conditions
Test Hours/
Cycles
Sample
Sizes
Failure
Judgment
Criteria
Ac/Re
1
REFLOW
TEMP.：260℃±5℃
10secs
6Mins
22pcs
0/1
2
Temperature Cycle H : 100℃
15mins
5mins
L : -40℃
15mins
50Cycles
22pcs
0/1
3
Thermal Shock
H :+100℃
5mins
10secs
L :-10℃
5mins
50Cycles
22pcs
0/1
4
High Temperature
Storage
TEMP.：+100℃
1000hrs
22pcs
0/1
5
Low Temperature
Storage
TEMP.：-40℃
1000hrs
22pcs
0/1
6
DC Operating Life
IF=20mA
1000hrs
22pcs
0/1
7
High Temperature/
High Humidity
85℃ / 85% R.H
1000hrs
22pcs
IR≧U×2
Ie≦L×0.8
VF≧U×1.2
U：Upper
Specification
Limit
L：Lower
Specification
Limit
0/1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SK12H45 | 12 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SKKD170M24 | 170 A, 2400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SKKE330F17 | 290 A, 1700 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SKV1/2B6000/5400-0.5 | 0.45 A, 14000 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SL467CW5-18V/30-P | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, WHITE, 19 mm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIRA00DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIRA00DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIRA02DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIRA02DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIRA04DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。