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参数资料
型号： SIS452DN-T1-GE3
厂商： Vishay Siliconix
文件页数： 12/13页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK
标准包装： 1
系列： TrenchFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 3.25 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1700pF @ 6V
功率 - 最大： 52W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装： PowerPAK? 1212-8
包装： 标准包装
其它名称： SIS452DN-T1-GE3DKR
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? 1212-8 Single
0.152
(3.860)
0.016
(0.405)
0.026
(0.660)
0.039
(0.990)
0.025
(0.635)
0.068
(1.725)
0.030
(0.760)
0.010
(0.255)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72597
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
7
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PDF描述
SIS456DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
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参数描述
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SIS468DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET
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