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参数资料
| 型号： | SIS452DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.25 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIS452DN-T1-GE3DKR |
SiS452DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
8 0
V GS = 10 V thru 4 V
20
16
T C = 125 °C
60
40
V GS = 3 V
12
8
T C = 25 °C
20
0
V GS = 2 V
4
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.005
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2100
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
1 8 00
C iss
0.004
V GS = 4.5 V
1500
C oss
1200
0.003
900
0.002
V GS = 10 V
600
C rss
300
0.001
0
0
20
40
60
8 0
100
0
3
6
9
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
1.4
I D = 20 A
V GS = 10 V, 4.5 V
8
6
V DS = 3 V
V DS = 6 V
1.3
1.2
1.1
4
V DS = 9.6 V
1.0
0.9
2
0. 8
0
0.7
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65705
S10-0215-Rev. A, 25-Jan-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS456DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS454DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SIS454DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS456DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIS456DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS468DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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