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参数资料
| 型号： | SIS456DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.1 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIS456DN-T1-GE3DKR |
SiS456DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.016
0.014
0.012
0.010
I D = 20 A
10
1
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.0
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.8
40
I D = 250 μA
1.6
30
1.4
20
1.2
1.0
0.8
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100 μs
10
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 64739
S10-1285-Rev. A, 31-May-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS468DN-T1-GE3 | MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK |
| SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 |
| SIS902DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK |
| SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 |
| SIZ700DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS468DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIS468DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 80V 19.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS472DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIS472DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS476DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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