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参数资料
| 型号： | SIS456DN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.1 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIS456DN-T1-GE3DKR |
SiS456DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 81 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?64739 .
www.vishay.com
6
Document Number: 64739
S10-1285-Rev. A, 31-May-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS468DN-T1-GE3 | MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK |
| SIS892ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 |
| SIS902DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK |
| SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 |
| SIZ700DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS468DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
| SIS468DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 80V 19.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS472DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIS472DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS476DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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