1N5260B-TAP全国供应商【买卖IC网】1N5260B-TAP资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5260B-TAP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4556
VISHAY
1425
-
原装正品，现货库存！

1N5260B-TAP 稳压(齐纳)二极管
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
8000
VISHAY/威世
DO-35
21+
-
代理渠道假一赔十，全网最低价。

1N5260B-TAP
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
30000
VISHAY
DO-35
na
-
全新原装现货，假一罚十

1N5260B-TAP
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
VISHAY
DO-35
23+
-
只做原装正品

1N5260B-TAP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
VISHAY
DO-35
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N5260B-TAP
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
VISHAY
DO-35
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

1N5260B-TAP 稳压(齐纳)二极管
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
15200
VISHAY/威世
DO-35
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

1N5260B-TAP
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
VISHAY
DO-35
21+
-
只做原装正品

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您是不是要找： 1N5260B-TP 1N5260B-TR 1N5260BUR-1 1N5260C-TAP 1N5260C-TR 1N5260TA 1N5261A 1N5261A (DO-35) 1N5261A(DO-35)

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功能描述
稳压二极管 43 Volt 0.5W 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N5260B-TAP 技术参数

1N5260BTA 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 31V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5260B-T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:1N5260 标准包装:1 1N5260B-T 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5260BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5260BDO35 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5261B 1N5261B (DO-35) 1N5261B A0G 1N5261B BK 1N5261B TR 1N5261B_T50A 1N5261B_T50R 1N5261B-T 1N5261BTA 1N5261B-TAP 1N5261B-TP 1N5261B-TR 1N5261BUR-1 1N5261C-TAP 1N5261C-TR 1N5261TA 1N5262A 1N5262A (DO-35)