您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 > 1字母第5251页 >

1N5260BDO35E3

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
1N5260BDO35E3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 43V 500MW DO-35
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)
  • 36V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
  • 900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
  • 100nA @ 27V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大
  • 200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)
  • 70 欧姆
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装
  • SOT-323
  • 包装
  • 剪切带 (CT)
  • 工作温度
  • -65°C ~ 150°C
  • 产品目录页面
  • 1585 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名称
  • MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
1N5260BDO35E3 技术参数
  • 1N5260BDO35 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5260B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5260B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5260B TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5260B BK 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 33V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5260TA 1N5261A 1N5261A (DO-35) 1N5261A(DO-35) 1N5261B 1N5261B (DO-35) 1N5261B A0G 1N5261B BK 1N5261B TR 1N5261B_T50A 1N5261B_T50R 1N5261B-T 1N5261BTA 1N5261B-TAP 1N5261B-TP 1N5261B-TR 1N5261BUR-1 1N5261C-TAP
配单专家

在采购1N5260BDO35E3进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买1N5260BDO35E3产品风险,建议您在购买1N5260BDO35E3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的1N5260BDO35E3信息由会员自行提供,1N5260BDO35E3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号