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APT34F100LMI

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    APT34F100LMI

    APT34F100LMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:欧阳先生

    电话:13714291754

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-264

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

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APT34F100LMI 技术参数
  • APT34F100L 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT34F100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 变式 供应商器件封装:T-MAX? [B2] 标准包装:1 APT33N90JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT33N90JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6800pF @ 100V FET 功能:超级结 功率耗散(最大值):290W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 供应商器件封装:SOT-227 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 标准包装:1 APT33N90JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:超级结 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 26A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L
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