您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 > A字母第2564页 >

APTGLQ40DDA120CT3G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APTGLQ40DDA120CT3G
    APTGLQ40DDA120CT3G

    APTGLQ40DDA120CT3G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGLQ40DDA120CT3G
    APTGLQ40DDA120CT3G

    APTGLQ40DDA120CT3G

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

  • -
  • 代理渠道可追溯现货库存F

  • 1/1页 40条/页 共2条 
  • 1
APTGLQ40DDA120CT3G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APTGLQ40DDA120CT3G 技术参数
  • APTGLQ400A120T6G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 700A 1900W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700A 功率 - 最大值:1900W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止(最大值):200μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):24.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ30H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:95W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 标准包装:1 APTGLQ300SK120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:降压斩波器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.42V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):200μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):17.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ300H65G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:全桥 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):600A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.3V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):300μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):18.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ300A120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.42V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止(最大值):200μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):17.6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG
配单专家

在采购APTGLQ40DDA120CT3G进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买APTGLQ40DDA120CT3G产品风险,建议您在购买APTGLQ40DDA120CT3G相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的APTGLQ40DDA120CT3G信息由会员自行提供,APTGLQ40DDA120CT3G内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号