参数资料
型号: SIZ720DT-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 13/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.7 毫欧 @ 16.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 825pF @ 10V
功率 - 最大: 27W,48W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-PowerPair?
供应商设备封装: 6-PowerPair?
包装: 带卷 (TR)
PAD Pattern
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD FOR PowerPAIR? 6 x 3.7
0.3520
( 8 .941)
0.0220
(0.559)
0.0190
0, 0.11
(0.4 8 3)
0.0170
(0.432)
0.1040
(2.642)
0, 0.03
0.0220
(0.559)
0.0170
(0.432)
- 0.05, - 0.11
0, - 0.11
0, 0
0, - 0.0645
0.03 8 0
(0.965)
0.4390
(11.151)
Document Number: 65278
Revision: 04-Aug-09
1
0.0500
(1.27)
Recommended PAD for Po w erPAIR 6 x 3.7
Dimensions in inches (mm)
Keep-o u t 0.3520 ( 8 .94) x 0.4390 (11.151)
www.vishay.com
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PDF描述
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