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参数资料
| 型号： | SIZ720DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 16.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 825pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 27W，48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiZ720DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
70
60
V GS = 10 V thr u 4 V
20
16
50
40
30
V GS = 3 V
12
8
T C = 25 °C
20
4
10
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.014
0.012
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.010
0.00 8
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
8 00
600
0.006
0.004
0.002
400
200
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
70
0
5
10
15
20
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 16. 8 A
V DS = 16 V
1.4
1.2
I D = 16. 8 A
V GS = 10 V
4
2
0
V DS = 5 V
V DS = 20 V
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V
0
4
8
12
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 65579
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIZ902DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SIZ728DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ730DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ730DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
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