- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录136848 > SMBG33C 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SMBG33C |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMBG33C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG5.0C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBJ18CA | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ26CA | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SM18PHN134 | 120 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SW25CXC18C | 5100 A, 3400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMBG33C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG33C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG33C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG33C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMBG33CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。