型号: | SMBG33C |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | SMBG33C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMBG5.0C | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
SMBJ18CA | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ26CA | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SM18PHN134 | 120 A, 1800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SW25CXC18C | 5100 A, 3400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMBG33C/2 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG33C/52 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG33C/55 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG33C/5B | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMBG33CA/1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 33V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |