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参数资料
型号： SMMBD2835LT1G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 1/4页
文件大小： 128K
描述： DIODE SWITCH DUAL 35V SOT23
标准包装： 3,000
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 35V
电流 - 平均整流 (Io)： 100mA（DC）
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.2V @ 100mA
速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间(trr)： 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 100nA @ 30V
电容@ Vr, F： 4pF @ 0V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装： SOT-23-3
包装： 带卷 (TR)
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
November, 2011 ?
Rev. 6
1
Publication Order Number:
MMBD2835LT1/D
MMBD2835LT1G,
MMBD2836LT1G,
SMMBD2835LT1G
Monolithic Dual Switching
Diodes
Features
?
AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
?
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements
?
These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant*
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
MMBD2835LT1G, SMMBD2835LT1G
MMBD2836LT1G
VR
35
75
Vdc
Forward Current
IF
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Total Device Dissipation FR?5 Board
(Note 1)
TA
= 25
?C
Derate above 25?C
PD
225
1.8
mW
mW/?C
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
556
?C/W
Total Device Dissipation Alumina
Substrate, (Note 2)
TA
= 25
?C
Derate above 25?C
PD
300
2.4
mW
mW/?C
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
417
?C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
?55 to
+150
?C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
xxx = Specific Device Code
M = Date Code
= Pb?Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
http://onsemi.com
MARKING DIAGRAM
A3X = MMBD2835LT1G
SMMBD2835LT1G
A2X = MMBD2836LT1G
xxx M
SOT?23 (TO?236AB)
CASE 318?08
STYLE 12
ANODE
3
CATHODE
1
2
CATHODE
1
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
MMBD2835LT1G SOT?23
(Pb?Free)
3,000 /
Tape & Reel
SMMBD2835LT1G SOT?23
(Pb?Free)
3,000 /
Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
MMBD2836LT1G SOT?23
(Pb?Free)
3,000 /
Tape & Reel
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PDF描述
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参数描述
SMMBD2837LT1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
SMMBD2837LT1G 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
SMMBD301LT1G 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SMMBD330T1G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
SMMBD7000LT1G 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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