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参数资料
| 型号： | SMMBD2835LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 128K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 35V SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 35V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
              MMBD2835LT1G, MMBD2836LT1G, SMMBD2835LT1G http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ?C unless otherwise noted) (EACH DIODE) Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage (IR = 100 Adc) MMBD2835LT1G, SMMBD2835LT1G MMBD2836LT1G V(BR) 35 75 ? ? Vdc Reverse Voltage Leakage Current (Note 3) (VR = 30 Vdc) MMBD2835LT1G, SMMBD2835LT1G (VR = 50 Vdc) MMBD2836LT1G IR ? ? 100 100 nAdc Diode Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz) CT ? 4.0 pF Forward Voltage (IF = 10 mAdc) (IF = 50 mAdc) (IF = 100 mAdc) VF ? ? ? 1.0 1.0 1.2 Vdc Reverse Recovery Time (IF = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1) trr ? 4.0 ns 3. For each individual diode while the second diode is unbiased. Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I F) of 10 mA. Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA. Notes: 3. tp ? t rr +10 V 2.0 k 820? 0.1 F DUT VR 100 H 0.1 F 50 OUTPUT PULSE GENERATOR 50 INPUT SAMPLING OSCILLOSCOPE tr tp t 10% 90% IF IR trr t iR(REC) = 1.0 mA OUTPUT PULSE (IF = I R = 10 mA; MEASURED at iR(REC) = 1.0 mA) IF INPUT SIGNAL Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SMMBD2837LT1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| SMMBD2837LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SWCH DIO SPCL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SMMBD301LT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SMMBD330T1G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOT-323 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| SMMBD7000LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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