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参数资料
| 型号： | SN74V3660-15PEU |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 14/50页 |
| 文件大小： | 729K |
| 代理商： | SN74V3660-15PEU |
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SN74V3640, SN74V3650, SN74V3660, SN74V3670, SN74V3680, SN74V3690
1024
×
36, 2048
×
36, 4096
×
36, 8192
×
36, 16384
×
36, 32768
×
36
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS668A
–
NOVEMBER 2001
–
REVISED MARCH 2003
14
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
absolute maximum ratings over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
Supply voltage range, V
CC
Continuous output current, I
O
(V
O
= 0 to V
CC
)
Storage temperature range, T
stg
Stresses beyond those listed under
“
absolute maximum ratings
”
may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under
“
recommended operating conditions
”
is not
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
–
0.5 V to 4.5 V
±
50 mA
–
55
°
C to 125
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
recommended operating conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
VCC
GND
Supply voltage (see Note 1)
3.15
3.3
3.45
V
Supply voltage
0
0
0
V
VIH
VIL
TA
High-level input voltage (see Note 2)
2
5.5
V
Low-level input voltage (see Note 3)
0.8
V
°
C
Operating free-air temperature
1. VCC = 3.3 V
±
0.15 V, JEDEC JESD8-A compliant
2. Outputs are not 5-V tolerant.
3. 1.5-V undershoots are allowed for 10 ns once per cycle.
0
70
NOTES:
electrical characteristics over recommended operating conditions, t
CLK
= 6 ns, 7.5 ns, 10 ns, and
15 ns (unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
VOH
VOL
II
IOZ
ICC1
ICC2
CIN
COUT
4. Tested with outputs open (IOUT = 0)
5. RCLK and WCLK switch at 20 MHz and data inputs switch at 10 MHz.
6. Typical ICC1 = 4.2 + 1.4
×
fS + 0.02
×
CL
×
fS (in mA), with VCC = 3.3 V, TA = 25
°
C, fS = WCLK frequency = RCLK frequency (in MHz,
using TTL levels), data switching at fS/2, CL = capacitive load (in pF)
7. All inputs = (VCC
–
0.2 V) or (GND + 0.2 V), except RCLK and WCLK, TA = 25
°
C, which switch at 20 MHz.
IOH =
–
2 mA
IOL = 8 mA
VI = VCC to 0.4 V
OE
≥
VIH,
See Notes 4, 5, and 6
2.4
V
0.4
V
±
1
μ
A
μ
A
mA
VO = VCC to 0.4 V
±
10
40
See Notes 4 and 7
15
mA
VI = 0,
VO = 0,
TA = 25
°
C,
TA = 25
°
C,
f = 1 MHz
10
pF
f = 1 MHz,
Output deselected (OE
≥
VIH)
10
pF
NOTES:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SN74V3670-10PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3670-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| SN74V3690-15PEU | 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
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| SN55107AFK | DUAL LINE RECEIVERS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V3660-6PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3660-7PEU | 功能描述:先进先出 4096 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3670-10PEU | 功能描述:先进先出 8192 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3670-15PEU | 功能描述:先进先出 8192 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V3670-6PEU | 功能描述:先进先出 8192 x 36 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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