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参数资料
| 型号： | SPB11N60S5 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷马鞍山⑩功率晶体管 |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPB11N60S5 |
2001-07-05
Page 10
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
20 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
540
560
580
600
620
640
660
680
V
720
SPP11N60C3
V
(
21 Avalanche power losses
P
AR
=
f
(
f
)
parameter:
E
AR
=0.6mJ
10
4
10
5
10
6
MHz
f
0
50
100
150
200
W
300
P
A
22 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
4
10
0
100
200
300
400
V
600
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
23 Typ.
C
oss
stored energy
E
oss
=
f
(
V
DS
)
0
100
200
300
400
V
600
V
DS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
μJ
7.5
E
o
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB11N60S5 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| spp11n60 | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| SPB12N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPI12N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPA12N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPB11N60S5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| SPB11N60S5_05 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge |
| SPB11N60S5ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-263 |
| SPB11N80C3 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPB-12 | 功能描述:电线鉴定 WIRE MARK BK A-Z + - RoHS:否 制造商:TE Connectivity / Q-Cees 产品:Labels and Signs 类型: 材料:Vinyl 颜色:Blue 宽度:0.625 in 长度:1 in |
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