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参数资料
| 型号： | SPBI11N60C3 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS Power Transistor |
| 中文描述： | 酷MOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPBI11N60C3 |
2001-07-05
Page 5
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
W
140
SPP11N60C3
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
12
SPP11N60C3
I
D
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
SPP11N60C3
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 13.0μs
4 Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPP11N60C3
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPI11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
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