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参数资料
| 型号： | SPBI11N60C3 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS Power Transistor |
| 中文描述： | 酷MOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | SPBI11N60C3 |
2001-07-05
Page 7
SPP11N60C3, SPB11N60C3
SPI11N60C3
Preliminary data
9 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 μs
0
2
4
6
8
10
12
V
15
V
GS
0
4
8
12
16
20
24
28
32
A
40
I
D
25°C
150°C
10 Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j
)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 0.5 mA
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
V
G
max.
typ.
min.
11 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 11 A pulsed
0
10
20
30
40
50
nC
70
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP11N60C3
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
12 Forward characteristics of body diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 10 μs
2
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
SPP11N60C3
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPI11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
| SPP11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
| SPP11N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPI11N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPB11N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPBK100 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:CONN, GOLD SPKR POST,BK,100PK |
| SPBM505-4.2X1 | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:300 AMPS DISCHARGE 20 AMPS CHARGE CURRENT PROGRAMABLE BATTERY BYPASS MODULE |
| SPBM505-4.2X4 | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:300 AMPS DISCHARGE 20 AMPS CHARGE CURRENT PROGRAMABLE BATTERY BYPASS MODULE |
| SPBS9048 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:HINGE |
| SPBS9051 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:HINGE |
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